浙江MSB中頻磁控濺射真空鍍（dù）膜電源

主要型號（hào）：

主要特點：

   A 采用先（xiān）進的電（diàn）流型開關電源技術，減小（xiǎo）輸出儲能元件，
同時提高了抑製（zhì）打火及重啟（qǐ）速度，應用在鋁靶鍍膜優勢更為明顯。
   B 具備恒流/恒功率模（mó）式可選。恒功率模式相對於傳（chuán）統（tǒng）的恒流模式，
更能保證鍍膜工藝的重（chóng）複性。
   C 具有理想（xiǎng）的電壓陡降特性，自動識別偽打火現象，
充分滿足磁控濺射工藝（yì）過程的連續性。
   D 主要參數可大範圍調節
   E 可選擇手動控（kòng）製/模擬量接口控（kòng）製，可選配RS485通訊接口。
采用先進的PWM脈寬調製技術，使用進口IGBT或MOSFET作為功率開關器件，
體（tǐ）積小、重量輕、功能全、性能穩定可靠，生產工藝嚴格完善。
該係列產品采用先進（jìn）的DSP控製係統，充（chōng）分保證鍍膜工藝（yì）的重複性，
並且具有抑製靶材弧光放電及抗短路功能，
具有極佳的負載匹配能力，既保證了靶麵清洗工（gōng）藝的穩定性，又提高了靶麵清洗速度；
主要參數均可（kě）大（dà）範圍連續調節（jiē）；
方便維護，可靠性高；
PLC接口和RS485接口擴展功能，方便實現自動化控製。

MSB係列雙極脈衝磁控濺射（shè）電源（中頻（pín）電源）

主要（yào）用途：

雙極脈（mò）衝（chōng）磁控濺射（shè）電源用於中頻孿生靶磁控濺金屬或非金屬材料，特別適（shì）合於反應磁控濺射。能增加離化率，減少電荷積累引起的異常放（fàng）電，預防靶表麵中毒現象（xiàng）。

在真空鍍膜電源時，使用直流負偏壓電源，其中運用直流電源，這個電源的電子方向（xiàng）一直統一，會導致單一品種電（diàn）荷堆積過高（gāo）與控製源中（zhōng）和。也就是（shì）說用來提供（gòng）動力的（de）正負極被（bèi）中和了。然後磁控濺射將不再持續。所以選用脈衝電源（yuán）。

在真空（kōng）中製（zhì）備膜層，包含鍍製晶（jīng）態的金屬、半導體、絕緣體等單質或化合物膜。雖然化（huà）學汽相堆積（jī）也選用減壓、低壓或等離子體等真（zhēn）空手法，但一般真（zhēn）空（kōng）鍍膜是指用物理的辦法堆積（jī）薄膜。真空鍍膜（mó）有三種方式，即蒸發鍍（dù）膜、濺射鍍膜和離子鍍。

真空鍍膜技能初現於20世紀30年代，四五十年代開端呈現工業使用，工業化大規模出產開端於20世紀80年代，在電子、宇航、包裝、裝（zhuāng）潢、燙金印刷等工業中獲得廣泛（fàn）的使用。真（zhēn）空鍍膜（mó）是指在真空環境下，將某種金屬或金屬（shǔ）化合物以氣相（xiàng）的方式堆積到資料外表（通常是非金屬資料），歸於物理氣相堆積工藝。由於鍍（dù）層常為金屬（shǔ）薄膜（mó），故（gù）也（yě）稱真空金屬化。廣義的（de）真空鍍膜還包含在金屬或非金屬資料外表（biǎo）真空蒸鍍聚合物等（děng）非金屬功（gōng）用性薄膜。在所（suǒ）有被鍍資猜中，以塑料樶為常見，其次（cì），為紙張鍍膜。相對於金屬、陶瓷、木材等資料，塑料具有來曆充足、性能易於調控、加工方便等優勢，因此品種繁多的塑料或其他高分子資料作為工程裝修性結構（gòu）資料，大量使用於轎車、家（jiā）電、日用包裝、工藝裝修等工業領域。但塑料資料大多存在外（wài）表硬度不高、外觀不行華麗、耐磨性（xìng）低等缺點，如在塑料外表蒸鍍一層（céng）極薄的金屬薄膜，即可賦予塑（sù）料（liào）程亮的金屬外觀，合適的金屬源還可大大增加（jiā）資（zī）料外表耐磨性能，大大拓寬了塑料的裝修性（xìng）和使用範圍。

真空鍍膜的功用是多方麵的，這也決議了其使用場合非常豐富。整體來說，真空鍍膜的主要功用包含賦予被（bèi）鍍件外表高度金屬光澤（zé）和鏡麵（miàn）效果，在薄膜資料上使膜層具有超卓的隔絕性能，提供優異的（de）電磁（cí）屏蔽和導電（diàn）效果（guǒ）。