MSB中（zhōng）頻磁控濺射真空鍍膜（mó）電源

主要型號：

主要特點：

   A 采用（yòng）先進的電流型開關電源技術，減小輸出儲能元件，
同時提高了抑製打火及重啟速度，應（yīng）用在鋁靶鍍膜優勢更為明顯。
   B 具備恒流（liú）/恒功率模式可選。恒功率模式相對於傳統的（de）恒流模式，
更能保（bǎo）證鍍膜工藝的重複性。
   C 具有理（lǐ）想的電壓陡降特性，自動識別偽打火現象，
充分滿足磁控濺射工藝過程（chéng）的連續性。
   D 主（zhǔ）要參數（shù）可大範圍調節
   E 可（kě）選擇（zé）手動控製/模擬量接口控製，可選配RS485通訊接口（kǒu）。
采用先進的PWM脈寬調製技術，使用進口IGBT或MOSFET作為功率開關器件，
體積小、重量輕、功能全（quán）、性（xìng）能穩定可靠，生產工藝嚴格完善。
該係列產品采用先進的（de）DSP控（kòng）製（zhì）係統，充分保證鍍膜工藝的重複性，
並且具（jù）有抑製靶材弧光放（fàng）電及抗短路功（gōng）能，
具有極佳的負（fù）載匹配能力，既保證了靶（bǎ）麵清洗工藝的穩（wěn）定性，又提高了靶（bǎ）麵（miàn）清洗速度（dù）；
主要參數均可大範圍連續調節；
方便維護，可靠性高；
PLC接口和RS485接口擴展功（gōng）能，方便實現（xiàn）自動化（huà）控（kòng）製。

MSB係列雙極脈衝磁控濺射電源（中頻電源）

主要用途：

雙極（jí）脈衝磁控濺（jiàn）射電源用（yòng）於中頻孿生靶磁控濺金屬或非金屬材料，特別（bié）適合於反應磁控濺射。能增（zēng）加離化率，減少電荷積累引起的異常放電，預防靶表麵中毒現象。

在真空鍍膜電源時，使用直流負（fù）偏壓電源，其（qí）中運用直流電源（yuán），這個電源（yuán）的電子方向一直（zhí）統一，會導致單一品種電荷堆積過高與控製源中和。也就是說用來提供（gòng）動力的正負極被中和了。然後磁控濺射將不再持續。所以選用脈衝（chōng）電源（yuán）。

在真空中製（zhì）備膜（mó）層，包含鍍製晶態的金（jīn）屬、半導體、絕緣體等（děng）單質或化合物（wù）膜。雖然化學汽（qì）相堆積也（yě）選用減（jiǎn）壓、低壓或（huò）等離子體等真空手法，但一般真空鍍膜是指用物理的辦法堆積（jī）薄膜。真空鍍膜有三種方式，即蒸發鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。

真空鍍膜技能初現於20世紀30年代，四五十年代（dài）開端呈現工業使用，工業化大規（guī）模出產開端於（yú）20世（shì）紀80年代，在電子（zǐ）、宇航、包裝、裝潢、燙金（jīn）印刷等工業中獲得廣泛的使（shǐ）用。真空鍍膜是（shì）指在真（zhēn）空（kōng）環境下，將某種（zhǒng）金屬（shǔ）或金屬化合物以氣相的方式（shì）堆積到資料外（wài）表（通常是非金屬資料），歸於物理氣相堆積工藝。由於鍍層常為（wéi）金屬薄膜，故也稱真空金屬化（huà）。廣義（yì）的真空鍍膜（mó）還包（bāo）含在金屬或非金屬資料外表（biǎo）真空蒸鍍聚合物等非金屬（shǔ）功用（yòng）性薄膜。在所有被鍍資（zī）猜中，以塑料樶為（wéi）常見，其次，為紙張（zhāng）鍍膜。相（xiàng）對於金屬、陶瓷、木材等資料，塑料（liào）具有來曆充（chōng）足、性能易於調控、加工方便等優勢，因此品種（zhǒng）繁多的塑料（liào）或其他高分子資料作為工程裝修性結構資料，大量（liàng）使用於轎車、家電、日用包（bāo）裝、工藝裝修等工業領域。但塑料資料大多存（cún）在外表硬度不（bú）高、外觀不行華麗、耐（nài）磨性低等（děng）缺點，如在塑料外表蒸鍍一（yī）層極薄的金屬薄膜，即可（kě）賦予塑料程亮的金屬外觀，合適的金屬源還可大大增加資料外表耐（nài）磨性能，大大（dà）拓寬了塑料的裝修性（xìng）和（hé）使用範圍。

真空鍍膜的功用是多方麵的，這也決議了其使用場合非常豐富。整（zhěng）體（tǐ）來說，真空鍍膜的主要（yào）功用包含賦予被鍍件（jiàn）外表高度金屬光澤和鏡麵效果（guǒ），在薄膜資料上使膜層具有超卓的隔（gé）絕性能，提供優異的電磁屏蔽和（hé）導電效果。