主要型號:
型(xíng)號 | 功率(kW) | 蕞大(dà)工(gōng)作 電流(A) | 外形(xíng)尺寸 | 冷卻方式 | 空載電壓(V) | 工作電壓(V) |
MSD-10k | 10 | 12.5 | 1單元 | 風冷 480*243*565 (WHD)(3U) | 1000 | 150~800V |
MSD-20k | 20 | 25 | 1單元 | |||
MSD-30k | 30 | 37.5 | 2單(dān)元(yuán) | |||
MSD-40k | 40 | 50 | 2單元 | |||
MSD-20k | 20 | 25 | 1單(dān)元 | 風水冷(lěng) 480*280*580 (WHD)(3U) | 1000 | 150~800V |
MSD-30k | 30 | 37.5 | 1單元 | |||
MSD-40k | 40 | 50 | 1單元 | |||
MSD-60k | 60 | 75 | 2單元 | |||
MSD-80k | 80 | 100 | 2單元 | |||
MSD-100k | 100 | 125 | 3單元 | |||
MSD-120k | 120 | 150 | 3單元 |
主要特點:
A 采用先進的電流型開關電源技術,減小輸出儲能元件,
同時提(tí)高了抑製打火及重啟速度,應用在鋁靶鍍膜優勢(shì)更為(wéi)明顯。
B 具備恒(héng)流/恒功率模式可選。恒功率模式相對於傳統的恒流模(mó)式,
更能保證鍍膜工藝的重複性。
C 具有理想的電(diàn)壓陡(dǒu)降特性,自動識別(bié)偽打火現象,
充分滿足磁控濺射工藝過程的連續性。
D 主要參數可大範圍調節
E 可選擇手動控製/模擬量接口(kǒu)控製,可選(xuǎn)配RS485通訊接口。
F 采用進口大功率IGBT&MOS模(mó)塊
采用先進的PWM脈寬調(diào)製技術(shù),使用進口IGBT或MOSFET作為功率開關器件(jiàn),
體積小、重量輕、功能全、性能穩定可靠,生產工藝嚴格完善(shàn)。
該係列產品采用先(xiān)進的DSP控製係統,充分保證鍍膜工藝的重複性,
並且具有抑製靶材弧光放電及抗短路功能,
具有極佳的負載匹配能力,既保證了靶麵清洗工藝的穩定性,又提高了靶麵清洗(xǐ)速度;
主要參數均可大(dà)範(fàn)圍連續調節;
方便維護,可靠性高;
PLC接口和RS485接口擴展功能,方(fāng)便實現自動化控製。
主要用途:
直流磁控濺射用於鍍(dù)製各種金(jīn)屬
在電子科技(jì)快速發展的時代中,電(diàn)源的(de)應用可以說是隨處可見的,或許正是因(yīn)為電源的普遍應用,所以電(diàn)源的類型也隨之而多樣。真空鍍膜電源是眾多電源類型(xíng)中的一種,這種電源與普通的電源有一定(dìng)的區(qū)別,單是電源的外觀就有明顯的不同。

真空鍍膜機光學鍍膜加工上(shàng)有什麽要注意的(de)嗎?當光線進入不同(tóng)傳遞物質時(如由空氣進入玻璃),大約有5%會被反射(shè)掉,在光學瞄(miáo)準鏡中有許多透鏡和折射鏡,整個加起來可以讓入射光線損失達30%至40%。現代光學(xué)透(tòu)鏡通常(cháng)都(dōu)鍍有單層或多層氟化鎂的增透膜(mó),單(dān)層增(zēng)透膜可使反射減少至1.5%,多層增(zēng)透膜則可讓反射降低至0.25%,所以整個瞄準鏡如果加以適當鍍膜,光線透穿率可達95%。鍍了單層增透膜的鏡片通常是藍紫色或是紅色,鍍多(duō)層增透膜的(de)鏡片則呈淡綠色或暗紫色。
真空鍍膜機增(zēng)透膜增加透射光強度的實質是(shì)作為電磁波的光波在傳(chuán)播的過(guò)程中,在不同介(jiè)質的分界麵上,由於邊界條(tiáo)件的不同,改變了其能量的分布。對於單層薄膜來說,當增透膜兩邊介質不同時,薄膜厚度為1/4波長的奇數倍且薄膜的折射率n=(n1*n2)^(1/2)時(分別是介質1、2的折射率),才可以使入射光全部透(tòu)過介質。一般光學透鏡都是在空氣中(zhōng)使用,對於一般折射率在1.5左右的光學玻(bō)璃,為使單層膜(mó)達到(dào)100%的增透效果,可使n1=1.23,或接近1.23;還要使增透薄(báo)膜(mó)的厚(hòu)度=(2k+1)倍四分之一個波長。單層膜(mó)隻對某一特定波長的電磁波增透,為使在更大範圍(wéi)內和更多(duō)波長實現增(zēng)透,人們利用鍍多層膜來實現。
人們對增透膜的利用有了很多的經(jīng)驗,發(fā)現了不少可以作為增透膜的材料;同時也掌握了不少(shǎo)先進的鍍膜技術,因此增透膜的應用涉及醫學、軍事、太空探(tàn)索等各行各業,為人(rén)類(lèi)科技進步作出了重(chóng)大貢(gòng)獻。
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