北京（jīng）MSB中（zhōng）頻磁控濺射真空鍍膜電源

主（zhǔ）要型號：

主要特點：

   A 采用先進（jìn）的電流型開關電（diàn）源（yuán）技術，減小輸出儲能元件，
同時提高了抑（yì）製打火及重啟速度，應用在鋁靶鍍膜優勢更（gèng）為明顯。
   B 具備（bèi）恒流/恒功率（lǜ）模式可選。恒（héng）功率模式相對於傳統的恒流模式，
更能保證鍍膜工藝（yì）的重複性。
   C 具有（yǒu）理想的電（diàn）壓陡降特性，自動識別偽（wěi）打火現象，
充分滿足（zú）磁控濺（jiàn）射工（gōng）藝過程的連續性。
   D 主要參數可大範圍調節
   E 可選擇手（shǒu）動控製/模擬量接口控製，可選配RS485通訊（xùn）接口。
采用先進的PWM脈寬調製技術，使用進口IGBT或MOSFET作為功率開（kāi）關器件，
體積小、重量輕、功能全（quán）、性能穩定（dìng）可靠，生產工藝嚴格完善。
該係列產品采用先進的（de）DSP控（kòng）製（zhì）係統，充（chōng）分保（bǎo）證鍍膜工藝的重複性，
並且（qiě）具有抑製靶材弧光放（fàng）電及（jí）抗短路功能，
具有極佳的負載匹配能力，既（jì）保證了靶（bǎ）麵清洗工藝的穩定性，又提高了（le）靶麵清洗速度；
主要參數（shù）均可大範圍連（lián）續調節；
方便維護（hù），可靠性高；
PLC接口和RS485接口擴展（zhǎn）功（gōng）能，方便實現自動化控製。

MSB係列雙極（jí）脈衝磁控濺射電源（中頻電源）

主（zhǔ）要（yào）用途：

雙極脈衝磁控濺射電源（yuán）用於中頻孿生靶磁控濺金屬或非金屬材料，特別適合於反應磁（cí）控濺射。能增加離化率，減少電荷積累引起的（de）異常放電，預防靶表麵中毒（dú）現象。

在真空鍍膜電源（yuán）時，使用直流負偏壓電源，其中運用直流電源，這個電源的電子方向一直統一，會導致單一（yī）品種電荷堆積過高與控製源中和。也就是說用來提供動力的正負極被中和（hé）了。然後磁控（kòng）濺射將不再（zài）持續（xù）。所以選用脈衝電源。

在真空中製備膜層，包含鍍製晶態的金屬、半導體、絕緣體等單質或化合物膜。雖然（rán）化學汽相堆積也（yě）選用減壓、低壓或等離子體等真空手法，但一般真空鍍膜是指用物理的辦法堆（duī）積（jī）薄膜（mó）。真（zhēn）空鍍膜有三（sān）種方式，即蒸發鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍（dù）。

真空鍍膜技能初現（xiàn）於20世紀30年代（dài），四五十年代（dài）開端呈現工業（yè）使用（yòng），工業（yè）化大規模出產開端於20世紀80年代，在電子、宇（yǔ）航（háng）、包裝（zhuāng）、裝潢、燙金印刷等工業中（zhōng）獲得廣泛的使用。真空鍍膜是指在真空環境下，將某種金（jīn）屬或金屬化合（hé）物以氣相（xiàng）的方式堆積到（dào）資料外表（通常是非金屬資料），歸於物理氣相堆積工藝。由（yóu）於鍍層（céng）常為金屬薄（báo）膜，故也稱真空金屬化。廣義的真空鍍膜還包含在金屬或非金屬資料外（wài）表真（zhēn）空蒸鍍聚合物等非金屬功用性薄膜。在所有被鍍資猜中，以塑（sù）料樶為常見，其次，為紙張鍍膜。相對（duì）於金屬（shǔ）、陶瓷、木（mù）材（cái）等資料，塑料具有來曆充足、性能易於調控、加工方便等優勢，因此品種繁多的塑料或其他高分子資料作為工程裝修性（xìng）結構資料，大量使用於轎車、家電、日用包裝、工（gōng）藝裝修等工業領域。但塑料資料大多（duō）存在外表硬（yìng）度不高、外觀不行華麗、耐磨性低等缺點，如在塑料外表蒸鍍一層極薄的金屬薄膜，即可賦予塑料程亮的金（jīn）屬外觀，合適的金屬源還（hái）可大大增加資料外表耐磨性能（néng），大大拓寬了塑料的裝（zhuāng）修性和使（shǐ）用範圍。

真空鍍膜的功用（yòng）是多方麵的，這也決議了（le）其使（shǐ）用場合非常豐富。整體來說，真（zhēn）空鍍膜的主要功用包含（hán）賦予被鍍件外表高度金屬光澤和鏡麵效果，在薄膜資料上使（shǐ）膜層具有超卓的隔絕（jué）性能，提供優（yōu）異的電磁屏蔽（bì）和導電（diàn）效果。