江蘇（sū）MSB中頻磁控濺射真空鍍膜電源

主要（yào）型號：

主要特點：

   A 采用先進（jìn）的電流型開關電源技（jì）術，減小輸（shū）出儲能元件，
同時提高了抑（yì）製（zhì）打火及重啟速度，應用在（zài）鋁靶鍍膜優勢更為明顯。
   B 具備恒流/恒功率模式可選。恒功率模（mó）式相（xiàng）對於傳統的恒流模式，
更能保證鍍膜工藝的重複性。
   C 具有理想的電壓陡降特性，自（zì）動識別偽打火現象（xiàng），
充分滿足磁控濺射工藝過程（chéng）的連續性。
   D 主要參數可大範圍調節
   E 可選（xuǎn）擇手動控製/模擬量接口控製（zhì），可選配RS485通訊接口。
采用先（xiān）進的PWM脈寬調製技術，使用（yòng）進口IGBT或MOSFET作為功率開關器件（jiàn），
體積小、重量輕、功能全、性能穩定可靠，生產工藝嚴格完善（shàn）。
該係（xì）列產品采用先進的DSP控製係統，充分保證鍍膜工藝的重複性，
並且具有抑製靶材弧光放電及抗短路功能，
具有極佳的負載匹配能力，既保證了靶麵清洗工藝的穩定性，又提高了靶麵清洗速度（dù）；
主要參數均可大範圍連續調節；
方便維護，可（kě）靠性高；
PLC接口和RS485接口擴展功能，方便實現自動化控製。

MSB係列雙極脈衝（chōng）磁控濺射電源（中頻電源）

主要用途：

雙極脈衝磁控濺射電（diàn）源用於中頻孿生靶磁控濺金屬或非（fēi）金屬材料，特別適合於反應磁控濺射。能增加離化率（lǜ），減少電荷積累引起的異常放電，預防靶表麵中毒現象。

在真（zhēn）空鍍膜（mó）電源時，使用直流負（fù）偏壓電源，其中運用直（zhí）流電源，這個電源的（de）電子方向（xiàng）一直統一，會導致單一品種電（diàn）荷堆積過（guò）高與控製源中和。也就是說用來提供動力（lì）的正負極被中和（hé）了。然後磁控濺射將不再（zài）持續。所以選用脈衝電源。

在真空中製備（bèi）膜層（céng），包含鍍製晶態的金屬（shǔ）、半導體、絕緣體等單質或化合物膜。雖（suī）然化學汽相（xiàng）堆積也選用（yòng）減壓、低壓或等離子體等真空手法，但一般真空鍍膜是指用物理的辦法（fǎ）堆積薄（báo）膜。真空鍍膜有三種方（fāng）式，即蒸發鍍膜、濺（jiàn）射鍍膜和（hé）離子鍍。

真空鍍膜技能初現於20世紀30年（nián）代，四五十（shí）年代開端（duān）呈現工業使用，工（gōng）業化大規模出產（chǎn）開（kāi）端於20世紀80年代，在電子、宇航、包裝、裝潢、燙金印刷等工業中獲得廣泛的使用。真空（kōng）鍍膜是指在真空（kōng）環境下，將某種金（jīn）屬或（huò）金屬化合物以氣相（xiàng）的（de）方式堆（duī）積到（dào）資料外表（通（tōng）常是非金屬資（zī）料（liào）），歸（guī）於物理氣相堆積工藝。由於鍍層常為金屬（shǔ）薄（báo）膜，故也稱真（zhēn）空（kōng）金屬化。廣義的真空（kōng）鍍膜還包含在金屬或非金屬資料外表真空蒸鍍聚合物等非金屬（shǔ）功用性（xìng）薄膜。在所有被鍍資猜（cāi）中，以塑料樶為常見，其（qí）次，為紙張鍍膜。相對於金屬、陶（táo）瓷、木材等資料，塑料具有來曆充（chōng）足、性能易於（yú）調（diào）控、加工方便等優勢，因（yīn）此品種繁多的塑料或其他（tā）高分子資（zī）料作為工程裝修性結（jié）構資料，大量使用於轎車、家電、日用包裝、工藝裝修等工業領域。但塑料資料大多存在外表硬度（dù）不高、外觀不行華（huá）麗、耐磨性低等缺點（diǎn），如在塑料外表蒸鍍一層極薄的金屬薄膜，即（jí）可賦予塑料程亮的金屬外觀，合適的金屬源還可（kě）大大增加資料外表耐磨性能，大大拓寬了塑料的（de）裝修性和使用範圍。

真空鍍膜的功用是多方麵（miàn）的（de），這也決議了其（qí）使用場合非常豐富。整體來說，真空鍍（dù）膜的主要功用包含（hán）賦予被鍍件外表高度金屬（shǔ）光澤和鏡麵效果，在薄膜資料上使膜層具有超卓的隔絕（jué）性（xìng）能，提供優異的電磁屏蔽和導電效果。