上海MSB中頻磁控濺射真空鍍膜電源

主要型號：

主要特點：

   A 采用先進的電（diàn）流（liú）型開關電源技術，減小輸出儲能元（yuán）件，
同時提高了抑製打（dǎ）火及重啟速度，應用在鋁（lǚ）靶鍍膜優勢更為（wéi）明顯（xiǎn）。
   B 具備恒流/恒功率模式可（kě）選。恒功率模式相對於傳統的恒流模式，
更（gèng）能保證鍍膜工藝的重複性。
   C 具有理想的電壓陡降特性，自動識別偽打火現象，
充（chōng）分滿足磁控濺射工藝過程的（de）連續性。
   D 主要參數可大範圍調節（jiē）
   E 可選擇手動控製（zhì）/模擬量接口控製，可選配RS485通訊接口。
采用先進的PWM脈寬調製技（jì）術，使用進口IGBT或MOSFET作為功率開關器件，
體積小、重量輕、功能全、性能穩定可靠，生產工藝（yì）嚴（yán）格（gé）完善。
該係列產品采用先進的DSP控製係統，充分保（bǎo）證鍍膜工（gōng）藝的重複性（xìng），
並且具有（yǒu）抑製靶材弧光放電及抗短路功能，
具有極佳的負載匹配（pèi）能力，既保證了靶麵清洗工藝的穩定性，又提高（gāo）了靶麵清洗速度；
主要（yào）參（cān）數均可大範（fàn）圍連續調節；
方便維（wéi）護，可靠性（xìng）高（gāo）；
PLC接口和RS485接（jiē）口擴展功能，方便實現自動化控製。

MSB係（xì）列（liè）雙極脈衝（chōng）磁控濺射電源（中（zhōng）頻電源（yuán））

主要用途：

雙極脈衝磁控濺射（shè）電源（yuán）用於中頻孿生靶磁控濺金屬或非金屬材料，特別適合於反應（yīng）磁控濺射。能增加離化率，減少電荷積累引起的異常放電，預防靶表麵中毒現象。

在真空鍍膜電源時，使用直流負偏壓電源，其中運用（yòng）直（zhí）流（liú）電源，這個電源的電子方向一直統一，會導致單一品種電荷堆積（jī）過高（gāo）與控製源中和（hé）。也就是說用來提供動力的正負極（jí）被中和了。然後磁控濺射將不再持續。所以（yǐ）選用脈衝電源。

在真空中製備膜層，包含鍍製晶態的金屬、半導體、絕緣（yuán）體等單質（zhì）或化合物膜。雖然化學汽相堆積也選用減壓、低壓或等離子體等真空手法，但一般真空鍍膜是指用物理的辦法堆積薄膜。真空鍍膜有三種方式，即蒸發鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。

真空鍍（dù）膜技能初現於20世紀30年代，四五十年代開端呈現工業使用，工業化大規模出產開端於20世紀80年代，在電子、宇航、包裝、裝潢、燙金印刷（shuā）等（děng）工業（yè）中獲得廣泛的使（shǐ）用。真空鍍膜是指在（zài）真空環境下，將某種金屬或金屬化合物以氣相的方式堆積到資料外表（通（tōng）常是非金屬資料），歸於物理氣相堆（duī）積工藝（yì）。由於鍍層常為金屬薄膜，故也稱真空金屬化。廣義的真空鍍膜還包含在金屬或非金屬資（zī）料外表真（zhēn）空（kōng）蒸鍍聚（jù）合物等非金屬功用性薄膜。在所有被鍍資猜中，以塑料樶為常見，其次，為紙張鍍膜。相對於金（jīn）屬、陶瓷、木材等資料，塑料具有來曆充足、性能易於調控、加工方便等優勢，因此（cǐ）品種繁多（duō）的塑料或其（qí）他高分子資料（liào）作為（wéi）工程裝修性結構資料，大量使用於轎車、家電、日用包裝、工藝裝修等工業領域。但塑料資料大多存在外表硬度不高、外觀不行華麗（lì）、耐（nài）磨性低等缺點，如在塑料外表蒸鍍一層極薄的金屬薄膜，即可賦予塑料程亮的金屬外觀，合適的（de）金屬源還可大大增加資料（liào）外表（biǎo）耐磨性能，大大拓寬了塑料的裝修性和使用範圍。

真空鍍膜的功用是多方麵的，這也決議了其使用場合非常豐富。整體來說，真空（kōng）鍍膜的主要功用（yòng）包含賦予被鍍（dù）件外表高度金屬光澤和鏡麵效果，在薄膜（mó）資料上使膜層具有超（chāo）卓的隔絕性能，提供（gòng）優異的電磁屏蔽和導（dǎo）電效果。