上海MSB中（zhōng）頻（pín）磁控濺射真（zhēn）空鍍膜電源

主要型號：

主要特點：

   A 采用先進（jìn）的電流型開關電源技術，減小輸（shū）出儲能元件，
同時提高了抑製打（dǎ）火及重啟速度，應用在鋁靶鍍膜優勢更為明顯。
   B 具備恒流/恒功率模式可選。恒功率模（mó）式相對於傳統的恒（héng）流模式，
更能保證（zhèng）鍍膜工藝的重（chóng）複性。
   C 具有理想的電壓陡（dǒu）降特性，自動（dòng）識別偽打火現（xiàn）象（xiàng），
充（chōng）分滿足磁控（kòng）濺射工藝過程（chéng）的連（lián）續性。
   D 主要參（cān）數可（kě）大範圍調節
   E 可（kě）選擇手（shǒu）動控製/模擬量接口控（kòng）製，可選配RS485通訊接口。
采用先進的PWM脈寬調製技（jì）術，使（shǐ）用進口IGBT或MOSFET作為功率開關器件，
體積小、重量（liàng）輕、功能全、性能穩定可靠，生產工藝嚴（yán）格完善。
該係列產品采用先進的DSP控製係統，充分（fèn）保證鍍膜工藝的重複性，
並且具（jù）有抑製靶材弧光（guāng）放電及抗短路功能，
具有極佳的負載匹配能力，既（jì）保證了靶麵清洗工（gōng）藝（yì）的（de）穩定性，又提高了靶麵清洗速度；
主要參數均可大範圍（wéi）連續調節；
方便維護，可靠性高；
PLC接口和RS485接口擴展功能，方（fāng）便實（shí）現自動化控（kòng）製。

MSB係列雙（shuāng）極脈衝磁控濺射電（diàn）源（中頻電源）

主要用途：

雙極脈衝磁（cí）控濺（jiàn）射電源用於中頻孿生靶磁控濺金（jīn）屬或非金屬（shǔ）材料，特別適合（hé）於反應（yīng）磁控濺射。能增加離（lí）化率，減少電荷積（jī）累引起的（de）異常放電，預防靶（bǎ）表麵中毒現象。

在（zài）真空鍍膜電源時，使用直流負偏壓電源，其中運用直流電源，這（zhè）個電（diàn）源的（de）電子（zǐ）方向一直統一，會導致單一（yī）品種電荷堆積過高與控製源中和。也就（jiù）是說用來提供動力的正負極被中（zhōng）和了。然後磁控濺（jiàn）射將不再持（chí）續。所以選用脈衝電源。

在（zài）真空中製（zhì）備膜層（céng），包含鍍（dù）製晶態的金屬、半導體、絕緣體等單質或化合物膜。雖（suī）然化學汽相堆積（jī）也選用減壓、低壓或等離子體等真空手法，但一般真空鍍膜是指用物理的辦法堆積薄膜。真空鍍膜有三種方式，即蒸發鍍膜、濺射鍍膜和離（lí）子鍍。

真空鍍（dù）膜技能初（chū）現於20世紀30年代，四五十年代開端（duān）呈現工業使用，工業化大規模（mó）出產開端（duān）於20世紀80年代（dài），在（zài）電子（zǐ）、宇航、包裝、裝潢、燙金印刷等工業中獲得廣泛的使用。真空鍍膜是指在真空環（huán）境下（xià），將某種金屬或金屬化合物（wù）以氣相的方式堆積到資料（liào）外（wài）表（通常是非金（jīn）屬資料），歸於物理氣相堆積（jī）工藝。由於鍍層常為金屬薄膜，故也稱（chēng）真空（kōng）金（jīn）屬化。廣義的真（zhēn）空鍍膜還包含在金（jīn）屬或非金（jīn）屬資料外表真空蒸鍍聚合物等非金屬（shǔ）功用性薄膜。在（zài）所有被鍍資猜中（zhōng），以塑料樶為常見，其次，為紙張（zhāng）鍍膜。相對於金屬、陶瓷、木材等資料（liào），塑料具有來曆充足、性能易於調控、加（jiā）工方（fāng）便等優勢，因此品種繁（fán）多的（de）塑料或其他高分（fèn）子資料作為工程裝（zhuāng）修性（xìng）結構資料，大量使用於轎車、家電、日用包裝、工藝裝修等（děng）工業領域。但塑料資料大多存在外（wài）表硬度不高、外觀（guān）不行華麗、耐磨性低等缺點，如在塑料（liào）外表蒸鍍一層極薄的金屬薄膜，即可賦予塑料程亮的金（jīn）屬外觀，合適的金屬源（yuán）還可大（dà）大（dà）增加資料外表耐磨性能，大大拓寬了（le）塑料的裝修性和使（shǐ）用（yòng）範圍。

真空鍍膜的功用是多方麵的，這也決議了其使用（yòng）場合非常豐富。整體（tǐ）來說，真空鍍膜的主要（yào）功用包含賦予被鍍件外（wài）表高度金屬光澤和（hé）鏡麵效果，在薄（báo）膜資料上使膜層具有超卓的隔絕性能，提供優異的電磁屏蔽和導電效果。