武（wǔ）漢MSDP單極脈衝磁控濺射（shè）電源

主要型號：

主要特點：
   A 明顯改善靶麵電荷積（jī）累現象，減小濺射表麵的打火次數，提高膜層質量。
   B 具有平均電源穩定功能，具有理想的（de）電壓陡降特性，
充分滿足磁控濺射工藝過程的連續性。
   C 空載電壓≥1000V，工作電壓200~800V。
   D 頻率40kHz，占空比20%~80%。
   E 可選擇手（shǒu）動控製/模擬量接口（kǒu）控製，可（kě）選配（pèi）RS485通訊接口。
采用先進的PWM脈寬調製技術，使（shǐ）用進口IGBT或MOSFET作（zuò）為功率開關器件，
體積（jī）小、重（chóng）量輕、功能全、性能穩定可靠，生（shēng）產（chǎn）工藝嚴（yán）格完善（shàn）。
該係（xì）列產品采用先進的DSP控製係統，充分保證（zhèng）鍍膜工藝（yì）的重複性，
並且具有抑製（zhì）靶材（cái）弧光放電及抗短路功能，
具有極佳的負載匹配能力，既（jì）保證了靶麵清洗工藝的穩定性，又提高了靶麵清洗速度；
主要參數（shù）均（jun1）可大範圍連續調節；
方便維護，可靠性高；
PLC接口和RS485接口擴展功能，方便（biàn）實現自動化控製（zhì）。

主（zhǔ）要用途：

單極脈衝磁控濺射適（shì）用於金屬、合金及石墨等靶材鍍製金屬膜、碳膜和部分氧化物、氮（dàn）化物及碳化物膜。

鏡片（piàn）在接受鍍膜前必須進行預清洗，這種清洗要求很高，達到分子級。在清洗槽中分別放置各種清洗液（yè），並采用（yòng）超聲波加強清洗效果，當（dāng）鏡片清洗完後，放進真空艙內，在此過（guò）程中要特別注意避免空氣中的灰塵和垃圾再黏附在鏡片表麵。最後的清洗是在真空艙內，在此過程中要特（tè）別注（zhù）意避免空（kōng）氣（qì）中的灰塵（chén）和垃圾再黏附在鏡（jìng）片表麵。最後的清洗是在真空艙內鍍（dù）前進行的，放置在（zài）真空艙內的離子槍將（jiāng）轟擊鏡（jìng）片的表麵（例如（rú）用（yòng）氬離（lí）子），完成此道清洗工序（xù）後即進行減反射（shè）膜的鍍（dù）膜。

真空鍍膜（mó）電源為什麽在現在會（huì）應用那麽多呢，有哪些明顯的效（xiào）果？

概念的區別：

1、真（zhēn）空鍍膜是指在高真空的條（tiáo）件下加熱金（jīn）屬或非金屬材料，使其（qí）蒸發並凝結於（yú）鍍件（金屬、半導體或絕緣體）表麵而形成薄膜的一種方法。例（lì）如，真空鍍鋁、真空鍍鉻等。

2、光學鍍膜（mó）是指在光學零件表麵上鍍上一層(或多層)金（jīn）屬(或介質)薄膜（mó）的工藝（yì）過程。在光學零件表麵鍍膜的目的是（shì）為了達到減少或增加光的反（fǎn）射、分束、分色、濾（lǜ）光、偏振等要求。常用的鍍（dù）膜法有真空鍍膜（mó）(物理鍍膜的一種)和化學鍍膜。