武漢MSB中頻磁控濺射真空鍍膜電源

主要型號：

主要特點：

   A 采用先進的電流型開（kāi）關電源技術，減小輸（shū）出儲能元件，
同時提高了抑製打火及重啟速度，應用（yòng）在鋁靶鍍膜優勢更（gèng）為明顯。
   B 具備恒（héng）流（liú）/恒功（gōng）率模式可選。恒（héng）功（gōng）率模式相對於傳統的恒流模式，
更能保證鍍膜工藝的重複性。
   C 具有理想的電壓陡降特（tè）性，自動識（shí）別偽打火現象，
充分滿足磁控濺射工藝過程的連續性。
   D 主要參數可大範圍（wéi）調節
   E 可（kě）選擇手動控製/模擬量接口控製，可選配RS485通訊（xùn）接口。
采用先進（jìn）的PWM脈寬調製技術，使用進口IGBT或MOSFET作為功率開關器件，
體積小（xiǎo）、重量輕、功能全、性能穩定可靠，生產（chǎn）工藝嚴格完善。
該係列產品采用先（xiān）進的DSP控製係統，充分保證鍍膜工藝（yì）的重複性，
並且具有抑製靶材（cái）弧光放電及抗短路功（gōng）能，
具有極佳的負（fù）載匹配能力，既保證了靶麵清（qīng）洗工藝的穩定性，又提（tí）高了靶（bǎ）麵清洗速度；
主要參數均可大範圍連續調節；
方便維護，可靠性高；
PLC接口和RS485接（jiē）口（kǒu）擴展功能，方便實現自動（dòng）化控製（zhì）。

MSB係列雙極脈衝磁控（kòng）濺射（shè）電源（yuán）（中頻電源）

主要用途：

雙極脈衝磁控濺射電源用於中頻孿生（shēng）靶磁控濺金屬或非金屬材料，特別適合於反應磁控濺射。能增加離化率，減少電荷積累引起的異常放電，預防靶表麵中毒現象。

在真空鍍（dù）膜電源時，使（shǐ）用直流負偏壓電源，其中運用直流電源，這個電源的電子方向一直（zhí）統一，會（huì）導致單一品種電荷堆積過高與（yǔ）控製源中和。也（yě）就是說用來提供動力的正負極被中和了。然後磁控濺射將不再持續（xù）。所以選用脈衝電源。

在真空中製備膜層，包含鍍製晶態的金屬、半導體、絕緣體等單質或化合物膜。雖然化學汽相堆積也選（xuǎn）用減壓、低壓或等離子體等真（zhēn）空手法，但一般真空鍍膜是（shì）指用物理的辦法（fǎ）堆積薄膜。真空鍍膜有（yǒu）三種方式，即蒸發（fā）鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。

真空鍍膜技能初現（xiàn）於20世紀30年（nián）代，四五十（shí）年代開端（duān）呈現工業使用，工業化大規模（mó）出產開端於20世紀80年代，在電子、宇航、包裝、裝（zhuāng）潢、燙金印刷等工業中獲得廣（guǎng）泛的使用。真空鍍膜是指在真空環境下，將某種金屬或金（jīn）屬化合物以氣相的方式堆積到資（zī）料外表（通常是非金屬（shǔ）資料），歸於物理氣相堆積工藝（yì）。由（yóu）於鍍層常為金屬薄膜，故也稱真空金屬化。廣義的真空鍍膜還包含在金屬或非金屬資料外表真（zhēn）空蒸鍍聚合物等非金屬功用性薄（báo）膜。在所有被鍍資猜中（zhōng），以塑料樶為常見，其次，為紙張鍍膜。相對於金屬、陶瓷、木材等資料，塑料具有來曆充足、性能易（yì）於調（diào）控、加工方便等優（yōu）勢，因此（cǐ）品種繁多的塑料或其他高分子資料作為工（gōng）程（chéng）裝修性結構資料，大量使用於轎車、家電、日用包裝、工藝裝修（xiū）等工業領域。但塑料資料大（dà）多（duō）存在（zài）外表硬度不高、外觀（guān）不行（háng）華麗、耐磨性低等缺（quē）點，如在塑料外表蒸鍍一層極薄的金屬薄膜，即可賦予塑料（liào）程亮的金屬外觀，合適的金屬源還（hái）可大大（dà）增加資料外表耐磨（mó）性能，大大拓寬了塑（sù）料的裝修（xiū）性和使（shǐ）用範圍。

真空鍍膜的功用是多方麵的（de），這也決議（yì）了其使用場合非常（cháng）豐富。整體來說，真空鍍膜的（de）主要功用（yòng）包含賦予被鍍件外表高度金屬光澤和鏡麵效果，在薄膜資料上使膜層具有超卓的隔絕性能，提供優異的電磁屏（píng）蔽和導電效（xiào）果。