武（wǔ）漢MSB中（zhōng）頻磁控（kòng）濺射真空鍍膜電源

主要（yào）型號：

主要特點：

   A 采用先進的電（diàn）流型開（kāi）關電源技術，減小輸出（chū）儲能（néng）元件，
同時提高了抑（yì）製打火（huǒ）及重啟速度，應用在鋁靶鍍膜優勢更為明顯。
   B 具備恒流/恒功率模式可選。恒功率模式相對於傳統的恒流模式，
更能保證鍍膜工藝（yì）的重複性。
   C 具有理想的電壓陡降特性，自動識別偽打火現象，
充分滿足磁控濺（jiàn）射工藝過（guò）程的連續性。
   D 主要參數可大範圍調節
   E 可選擇手動控製/模擬量接（jiē）口控製，可選配RS485通訊接口。
采用先進的PWM脈寬調製技（jì）術，使用進（jìn）口IGBT或MOSFET作為功率開關器件，
體（tǐ）積小、重量輕、功能全、性能穩定可靠，生產（chǎn）工藝（yì）嚴格完（wán）善。
該係列產品采用先進的DSP控製係統，充（chōng）分保證（zhèng）鍍膜工藝的（de）重複性，
並且具有抑製靶材弧光放電及抗短（duǎn）路功能，
具（jù）有極佳的負（fù）載匹配能力，既（jì）保（bǎo）證了靶麵清（qīng）洗工藝的穩（wěn）定性（xìng），又提高了靶麵清洗（xǐ）速度；
主要參數均可大範圍（wéi）連續調節；
方便維護，可靠性高；
PLC接口（kǒu）和RS485接口擴展功能，方便實（shí）現自動化控製。

MSB係列雙極脈衝磁（cí）控（kòng）濺射電源（中頻電源）

主要用途：

雙極脈衝磁控（kòng）濺射電源用於中頻孿生靶磁控（kòng）濺金（jīn）屬或非金屬材料，特別適合於反應磁（cí）控濺射。能增加離化率，減少電荷積累（lèi）引起的異常放電，預防靶（bǎ）表麵中毒現象。

在真空鍍膜（mó）電源時，使用直流負偏壓電源（yuán），其中運用直流（liú）電（diàn）源，這個電（diàn）源的電子方向一直統一，會導致單一品種（zhǒng）電荷堆積過高與控製源中和。也就是說用來提供（gòng）動力的正負極被中和了（le）。然後磁控濺射將不再（zài）持續。所以選用脈衝電源。

在真空中製備膜層，包含鍍製晶態的（de）金（jīn）屬、半導體、絕緣體等單質或化合物膜。雖然化學汽相堆積也選用減壓、低壓或等（děng）離子體等真空手法，但一般真空鍍膜是指用物理的（de）辦（bàn）法堆積薄膜。真空鍍膜有三種方式，即蒸發鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。

真（zhēn）空鍍膜技（jì）能初現於（yú）20世紀30年代，四五十年代開端呈現工業使用，工（gōng）業化大規模出產開端於20世紀80年代，在電子、宇航、包裝、裝潢、燙金印刷等工業中獲得廣泛的使用。真空鍍膜是指（zhǐ）在真空環境下，將某種金屬或金屬化合物以氣相的方式堆積到（dào）資料外表（通常是非金屬資（zī）料），歸於物理氣相堆積工藝。由於鍍層（céng）常為金屬薄膜，故也稱真空（kōng）金屬化。廣義的真空（kōng）鍍膜還包（bāo）含（hán）在（zài）金屬或非金屬資料外表真空蒸鍍聚合物等非金屬功用性薄膜。在所有被鍍資猜中，以（yǐ）塑料樶為常見，其次，為紙張（zhāng）鍍膜。相對於金屬、陶（táo）瓷、木材（cái）等資（zī）料，塑料（liào）具有來曆充足、性能易於調控、加工方（fāng）便等優勢（shì），因此品種繁多的塑料或其他高分子資料作為工程裝修性結（jié）構資料，大（dà）量使用於轎車、家電、日用包裝、工藝裝修（xiū）等工業領域。但塑料資料大多存（cún）在（zài）外表（biǎo）硬度不高、外觀（guān）不行華麗、耐磨性低等缺點（diǎn），如在（zài）塑料外表蒸鍍一層極薄的金屬薄膜，即可賦予（yǔ）塑料程亮的金屬外觀，合適（shì）的金屬（shǔ）源還可大大增加資料外表耐磨性（xìng）能，大大拓寬了塑料的裝修性和使用範圍。

真空鍍膜的功（gōng）用是多方麵的，這也決議了其使用場合非常豐富。整體來說，真空鍍膜的主（zhǔ）要功用包含賦予被鍍件外表（biǎo）高度（dù）金屬光澤和鏡麵效果，在薄膜（mó）資料上使膜層具有超卓的隔絕性能，提供（gòng）優異的電磁屏蔽和導電效果。