浙江MSDP單極脈衝磁控（kòng）濺射電源（yuán）

主要型（xíng）號：

主要特點：
   A 明顯改善靶麵電荷（hé）積累現象，減小（xiǎo）濺射表（biǎo）麵的打火次（cì）數，提高膜層質量。
   B 具有平均電源穩定功能，具有（yǒu）理想的電壓陡降特性（xìng），
充（chōng）分滿足磁控濺射工藝（yì）過程的連續性。
   C 空載電壓≥1000V，工作電壓200~800V。
   D 頻率40kHz，占空比20%~80%。
   E 可選擇手動控製/模擬量接口控製，可（kě）選配RS485通訊接口。
采用先進的PWM脈寬調製技術，使用進（jìn）口IGBT或MOSFET作為功率開關器件，
體積小、重量輕、功能（néng）全、性能穩定可靠，生產工藝嚴格完善。
該係（xì）列產品采用先進的DSP控製（zhì）係統，充分保證鍍膜工藝的（de）重複性，
並且具有抑製（zhì）靶（bǎ）材弧光放電及（jí）抗短路功能，
具有極佳（jiā）的負載（zǎi）匹配能力，既保證了靶麵清洗（xǐ）工藝（yì）的穩定性，又提高了靶麵清洗速度；
主要參數均可大範圍連續調（diào）節；
方（fāng）便維護（hù），可靠性高；
PLC接口和RS485接口擴展功能，方便實現自動化控（kòng）製。

主要用途：

單極脈衝磁控濺射適用於金屬、合金及石墨等靶材鍍製金屬膜、碳膜和部分氧化物、氮化物及碳化（huà）物膜。

鏡片在接受鍍膜前必須進行預清洗，這種清洗要求很高，達到分子級（jí）。在清（qīng）洗槽中分別放置各種清（qīng）洗液，並采用超（chāo）聲波加強清（qīng）洗效果，當鏡片清洗完後，放進真空艙內，在此過程中要特別注意避免空氣中的灰塵和垃圾（jī）再黏附在鏡片表麵。最後的清洗是在（zài）真空艙內，在此過程中要特別注意避免空氣中的灰塵（chén）和垃圾再黏附在鏡片表麵（miàn）。最後的清洗是在真空艙內鍍前進行的，放（fàng）置在真空艙內的離子槍將轟擊鏡（jìng）片的表麵（例如用氬離子），完成此道清洗工序後（hòu）即進行減反（fǎn）射膜的鍍膜。

真空鍍膜電（diàn）源為什麽在現（xiàn）在會應用那麽（me）多呢，有哪些明顯的效果？

概念的區別：

1、真（zhēn）空鍍（dù）膜是（shì）指在高真空的條件下（xià）加熱金屬或非金屬（shǔ）材料，使其蒸發並凝結於鍍件（金屬、半導體或絕緣體）表麵而形成薄膜的一種方法。例如，真空鍍（dù）鋁、真空鍍鉻等。

2、光學（xué）鍍膜是（shì）指在光學（xué）零件表麵上鍍上一層(或多層)金屬（shǔ）(或介質)薄膜的工藝過程。在光學（xué）零（líng）件表麵（miàn）鍍膜的目的是為了達到減少或增（zēng）加光的反射、分束、分色、濾光、偏振等要求。常用的鍍膜（mó）法有真空鍍膜(物理鍍膜的一種（zhǒng）)和化學鍍膜。