浙江MSB中頻（pín）磁控濺射真空鍍膜電（diàn）源

主要型號：

主要特點：

   A 采用先進的電（diàn）流型開關電源技術，減小輸出儲能元件，
同時提高了抑製打火及重啟速度，應用在鋁靶鍍膜（mó）優勢更為明（míng）顯。
   B 具備恒流/恒功率模（mó）式可選（xuǎn）。恒功率模式相對於傳統的恒流模（mó）式，
更能保證鍍膜工藝的重複性。
   C 具有理想的電壓陡降（jiàng）特性，自動識（shí）別偽打火現象，
充分（fèn）滿足磁控濺射工藝過程的連續性。
   D 主要參數可大範圍調節
   E 可選擇手動控製/模擬量接口控製，可選配RS485通訊接口。
采用先進的PWM脈寬調製技術，使用進口IGBT或MOSFET作為功率（lǜ）開關器件（jiàn），
體積小、重量輕、功能全、性能穩定可靠，生產（chǎn）工藝嚴（yán）格完善。
該係列產品采用先進的DSP控製係（xì）統，充分保證鍍膜工藝的重（chóng）複性，
並且具有抑製靶材弧光（guāng）放電及（jí）抗短路功能，
具有極佳的負載匹配能力，既保（bǎo）證了靶麵（miàn）清洗工藝的穩定性，又提高了靶（bǎ）麵清洗速度；
主（zhǔ）要參數均可大範（fàn）圍連（lián）續調節；
方便維護，可（kě）靠性高；
PLC接口和RS485接口擴展功能，方便實現自動化控製。

MSB係列雙極脈衝磁控濺射電源（中頻電源）

主要用（yòng）途：

雙極脈衝磁控濺射電源用於（yú）中頻孿生（shēng）靶磁控濺金屬或非金屬材料，特別適合於反應磁控濺（jiàn）射。能增加離化率，減少電荷積累引起的異常放電，預防靶表麵中（zhōng）毒現象。

在真空鍍膜電源時，使用直流負偏壓電源，其中（zhōng）運用直流電源，這個電源（yuán）的電子方向一直統一，會（huì）導致單一品種電荷堆積過高與控製（zhì）源中和。也就是說用來提供（gòng）動力的正負極（jí）被中和了。然後磁控濺射將（jiāng）不再持續。所以選用脈衝（chōng）電源。

在真空（kōng）中製備膜層（céng），包含鍍製晶態的金屬、半導體、絕緣體（tǐ）等單質或化合物膜。雖然化學（xué）汽相堆（duī）積也選用減壓、低壓或等離子體（tǐ）等真空手法，但一般真空（kōng）鍍膜是（shì）指用物理的辦法堆積薄膜。真空鍍膜有三種方式，即蒸發鍍膜、濺射（shè）鍍膜和離子（zǐ）鍍。

真空鍍膜技能初現於20世紀30年代，四（sì）五十年代開端呈現工業使（shǐ）用，工業化大規模（mó）出產開（kāi）端於20世紀80年代，在電子、宇航、包裝、裝潢、燙金（jīn）印刷等工業中獲（huò）得廣泛的使用（yòng）。真空鍍膜是指在真空（kōng）環（huán）境下，將（jiāng）某種金屬或金屬化合物以氣相的（de）方式堆積到資料外表（通常是非金（jīn）屬資料），歸（guī）於物（wù）理氣相堆積工藝。由於鍍（dù）層常為（wéi）金屬薄（báo）膜，故也（yě）稱真空金屬化。廣義的真空鍍膜還包含在金屬或非金屬資料外表真（zhēn）空蒸鍍聚合物等非金屬功用性薄膜。在（zài）所有被鍍資猜中，以塑（sù）料（liào）樶為常見，其次，為紙張鍍膜。相對於金屬、陶瓷、木材（cái）等（děng）資料，塑料具有來曆充足（zú）、性能易於調控（kòng）、加（jiā）工方（fāng）便等優勢，因此品種繁多的塑料或其他高分子資料作為（wéi）工程裝修性結（jié）構資料，大（dà）量使用於轎車、家電、日用（yòng）包裝、工藝裝修等工業領域（yù）。但塑料資料大多存在外表（biǎo）硬度不（bú）高、外觀（guān）不行華麗、耐磨（mó）性低等缺點，如在塑料外表蒸鍍一層（céng）極薄的金（jīn）屬薄（báo）膜，即可賦予塑料程亮的（de）金屬外（wài）觀，合（hé）適的金屬源還（hái）可（kě）大大增加資（zī）料外（wài）表耐磨性能，大大拓寬了塑料的裝修性和使用範（fàn）圍。

真空鍍膜的功用（yòng）是多方麵（miàn）的，這也決議了其（qí）使用場合非常豐富。整體來說，真空鍍膜的主要功用包含賦予被鍍件外表高度金屬光澤和鏡麵效果，在薄膜資料上使膜層具有超卓的隔絕性能，提供優異的電磁屏蔽和導電效果。