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主(zhǔ)要型號:
型號 | 功率(W) | 工作電壓(V) | 蕞大峰(fēng)值電流(A) | 外形尺寸 | 冷卻方式 |
MS-10A | 400W | -40~+40 | -10~+10 | 482*175*550 (WHD)[4U] | 風(fēng)冷 |
MS-20A | 800W | -40~+40 | -20~+20 | ||
MS-30A | 1200W | -40~+40 | -30~+30 |
主要特點:
A 可選擇三角波、矩形波、正弦波三種波形,波形的蕞高值和蕞低值可獨立設(shè)置。
B輸出電壓範圍:-40V~+40V。
C波形頻率範(fàn)圍:0.1-50Hz
D三角波、矩形波占空比10%~90%
E 可(kě)選擇手動控製(zhì)/模擬量接口控製,可選配RS485通訊接口。
采用先(xiān)進的PWM脈寬調製(zhì)技術,使用進口IGBT或MOSFET作為功率開關器件(jiàn),
體積小、重量(liàng)輕、功能全、性(xìng)能穩定可靠,生產工藝嚴格完善。
該係列產品采用先進的DSP控製係統,充(chōng)分保證鍍膜工藝的重複性,
並且具(jù)有抑(yì)製靶材弧(hú)光放電及抗短路功能,
具有極佳的負載匹配能力,既保證了靶麵清(qīng)洗工藝的穩定性,又提高了靶麵清洗速度(dù);
主要參數均可大範圍連續調節;
方便維護,可靠性高;
PLC接口和RS485接口擴展功能,方便實現自動化控製(zhì)。
主要用途:
MS係列勵磁多波形電源(yuán)選(xuǎn)擇多種電壓波形輸出。通過驅動多(duō)弧靶外圍(wéi)磁場線圈,產生周期性可變磁磁場,使多弧輝光由原來的(de)集(jí)中放(fàng)電變為均勻放電,提高工件膜層質量

現(xiàn)在工(gōng)業區,在範圍上擴展的(de)是越來越廣,跟隨我們行業的(de)發展,現在(zài)機械設備研發的是(shì)越來越多,當然啦,研(yán)發那麽多,在一些加工廠家肯定是要應用到的啦,在範圍(wéi)上,在數量上都不(bú)會少,現在我們來了解下真空鍍(dù)膜電源這項項目吧!

1、在光學儀器中(zhōng):人們熟悉的光學儀器有望遠鏡、顯(xiǎn)微鏡、照相機(jī)、測距儀,以及日常生活用品中的鏡子、眼鏡、放大鏡等,它們都離(lí)不開鍍膜(mó)技術,鍍製的薄膜有反射膜、增透膜和吸收膜等幾種。
2、在信(xìn)息存儲領域中:薄膜材料作為信(xìn)息記(jì)錄於(yú)存儲介質,有其得天獨厚的優勢:由於薄膜很薄,可以忽略渦流損耗;磁化反轉極為迅速;與膜麵平行的雙穩態(tài)狀態容易保持等(děng)。為了更精密地記錄與存儲信(xìn)息,必然要采用鍍膜技(jì)術。
3、在傳感器方麵(miàn):在傳感(gǎn)器中,多(duō)采用那些電氣性質相對於物理量、化學量及其變化來說,極為敏感的半導體材料。此外,其中,大多數利用的是半導體的表麵、界麵的性質,需要盡(jìn)量增大其麵積,且能工業化、低價格製作,因(yīn)此,采(cǎi)用薄膜的情況很多。
4、在集成(chéng)電路(lù)製造中:晶體管路中的保護層(SiO2、Si3N4)、電極管線(多晶矽、鋁(lǚ)、銅及其合金)等,多是采(cǎi)用CVD技(jì)術、PVCD技術、真空蒸發金屬技術、磁控濺射(shè)技術和射頻濺射技術。可見,氣相沉積是製備集成電路的核心技術之一(yī)。