主要型(xíng)號:
型號 | 功率(kW) | 蕞大(dà)工作 電流(A) | 外形尺寸 | 冷(lěng)卻方式 | 空載電壓(V) | 工作(zuò)電壓(V) |
MSD-10k | 10 | 12.5 | 1單元 | 風冷 480*243*565 (WHD)(3U) | 1000 | 150~800V |
MSD-20k | 20 | 25 | 1單元 | |||
MSD-30k | 30 | 37.5 | 2單元 | |||
MSD-40k | 40 | 50 | 2單元 | |||
MSD-20k | 20 | 25 | 1單元 | 風水冷 480*280*580 (WHD)(3U) | 1000 | 150~800V |
MSD-30k | 30 | 37.5 | 1單(dān)元 | |||
MSD-40k | 40 | 50 | 1單元 | |||
MSD-60k | 60 | 75 | 2單元 | |||
MSD-80k | 80 | 100 | 2單元 | |||
MSD-100k | 100 | 125 | 3單元(yuán) | |||
MSD-120k | 120 | 150 | 3單元 |
主要特點:
A 采用先進的電流型開關電源技術,減(jiǎn)小輸出儲能元件,
同時提高了抑製打火及重啟速度,應用在鋁靶鍍膜優勢更為明顯。
B 具(jù)備恒流/恒功率(lǜ)模式可選。恒功率模式相對於傳統的恒流(liú)模式,
更能保證鍍膜(mó)工藝的重複性。
C 具有理想的電壓陡降特性,自(zì)動識別偽打火現象,
充分滿足磁控濺射工藝過程的連續性。
D 主要參數可大範(fàn)圍調節
E 可選擇手動(dòng)控製/模擬量接口控製,可選配RS485通訊接口。
F 采(cǎi)用進口大功率IGBT&MOS模塊
采用先進的PWM脈寬調製技術,使用(yòng)進口IGBT或MOSFET作為功(gōng)率開關器件,
體積小、重量(liàng)輕、功能全、性能穩定可靠,生產工藝嚴格完善。
該係列產品采用先進的DSP控(kòng)製係(xì)統,充分保證鍍膜工藝的重複性,
並且(qiě)具有抑製靶材弧光放(fàng)電及抗短路功能,
具有極佳的負載匹配能力,既保證了靶麵清洗工藝的穩定性,又提高了靶麵清洗速度;
主要參數均可大範圍連(lián)續調(diào)節;
方便維護,可靠性高;
PLC接口和RS485接口擴展功(gōng)能,方便實現自動化控製。
主要用途:
直流磁控濺射用(yòng)於鍍製(zhì)各種金屬
在電子科技快速發(fā)展的時代中,電源的應用可以說是隨處可見的,或許正(zhèng)是因為電源的(de)普遍(biàn)應用,所以電源的(de)類型也隨之(zhī)而多樣。真(zhēn)空鍍膜電源是(shì)眾多電源類型中的一種,這種電源與普通的電(diàn)源有一定的區別,單是電源的外(wài)觀就有明顯的不同。

真空鍍膜機光(guāng)學鍍膜加工上有什(shí)麽要注意的嗎?當光線進入不同傳遞物質時(如(rú)由(yóu)空氣進入玻璃),大(dà)約有5%會被反射掉,在光(guāng)學瞄準鏡中(zhōng)有許多透鏡和(hé)折射鏡,整個(gè)加起來可以讓入射光線損失達30%至40%。現代光(guāng)學透鏡通常都鍍有單層或多層氟化鎂的增透(tòu)膜,單層增透膜可使反射減少至1.5%,多層增透膜則可讓反(fǎn)射降低至(zhì)0.25%,所以整個瞄準鏡如果加以適當鍍膜,光線透穿率可達95%。鍍了單層(céng)增透膜的鏡片通常是藍紫色或是紅(hóng)色,鍍多層增透膜的鏡片則呈淡綠色或暗紫(zǐ)色。
真空鍍膜機增透膜增加透射光強度的實質是作為電磁波的光(guāng)波(bō)在傳播的過程中,在不同介質的分界麵上,由於邊界條件的不同,改變了(le)其能量的分布。對於單(dān)層薄膜來說,當增(zēng)透膜兩邊介質不同時,薄膜厚度為1/4波長的奇數(shù)倍且薄膜的折射率n=(n1*n2)^(1/2)時(分別(bié)是介質1、2的(de)折(shé)射率),才可以使入射光全部透過介質。一般光(guāng)學透鏡都是在空氣中使用,對於一般折射率在1.5左右的(de)光學(xué)玻璃(lí),為使單層膜達到100%的增透效果,可使(shǐ)n1=1.23,或接近1.23;還要使增透薄膜的厚度(dù)=(2k+1)倍四分之(zhī)一個波長。單層膜(mó)隻對某一特(tè)定(dìng)波長的電磁波增透(tòu),為使在更大範圍內和更多波長實現增透,人們利用鍍多層膜來實現。
人們(men)對增透膜的利用有了很多的經驗,發現了不少可以作為增透膜的材料;同(tóng)時也掌握了不少先進的(de)鍍膜技術,因此增透膜的應用涉(shè)及(jí)醫學、軍事、太空探索等各行各業,為人類科技進步(bù)作出了重大(dà)貢獻。
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