主要型號:
型號 | 功率(W) | 工作電壓(V) | 蕞大峰值電流(A) | 外形尺寸(cùn) | 冷卻方式 |
MS-10A | 400W | -40~+40 | -10~+10 | 482*175*550 (WHD)[4U] | 風冷 |
MS-20A | 800W | -40~+40 | -20~+20 | ||
MS-30A | 1200W | -40~+40 | -30~+30 |
主要特(tè)點:
A 可選擇三角波(bō)、矩形波、正弦波三種波形(xíng),波形的蕞高值和蕞低值可獨立設置。
B輸出電壓範圍:-40V~+40V。
C波形頻率範圍:0.1-50Hz
D三角波、矩形波(bō)占空比10%~90%
E 可選擇手動控製/模擬量接口(kǒu)控製,可選配RS485通訊接口(kǒu)。
采用先(xiān)進的PWM脈寬調製技(jì)術,使用(yòng)進口(kǒu)IGBT或MOSFET作為功率開關器件,
體積小、重量輕、功能(néng)全、性能穩定可靠,生產工藝嚴(yán)格完善。
該係列產品采用先進的DSP控製係統,充分保證鍍膜工藝的重複性,
並且具(jù)有抑製靶材弧光(guāng)放電及抗短路功能,
具有極佳的負載(zǎi)匹配能力,既保(bǎo)證了靶麵清洗工藝的(de)穩定性(xìng),又提高了靶麵清洗速度;
主要參數均可大範圍連續調節;
方便維護,可靠性高;
PLC接口和RS485接口擴展功能,方便實現自動化控製。
主要用途(tú):
MS係列勵磁多波形電源選擇(zé)多種電壓波形輸出。通過驅動多弧靶(bǎ)外圍磁場線圈(quān),產生周期性可變磁磁場,使多弧輝光由原(yuán)來的集中放電變為均勻放電,提高工件膜層質量

現在工業區,在範圍(wéi)上擴展的是越(yuè)來越廣,跟隨我們行業的發展,現在機械設備研發的是(shì)越來越多(duō),當然啦(lā),研發那麽多,在一些加工(gōng)廠(chǎng)家肯(kěn)定是要應用到的啦,在範圍上,在數量上都不會少,現在我們來了解下真空鍍膜電源這項項目吧!

1、在光學儀器(qì)中:人(rén)們熟悉的光學儀器有望遠鏡(jìng)、顯微鏡、照(zhào)相機、測距儀,以及日常生活用品中的(de)鏡子、眼鏡、放(fàng)大鏡等,它(tā)們都離不開鍍膜技術,鍍製(zhì)的薄(báo)膜有反射膜(mó)、增透膜(mó)和吸收(shōu)膜等幾種。
2、在信(xìn)息存儲領域中:薄膜材料作(zuò)為信息記錄於存儲介質,有其得天獨(dú)厚的優勢:由於薄膜很薄,可(kě)以忽略渦(wō)流損耗;磁化反轉極為迅速;與膜麵平行的雙穩態狀態容易保持等。為了更精密地記(jì)錄與存(cún)儲信息,必然要(yào)采用鍍膜技術。
3、在傳感器方麵:在傳感器中,多采用那些電氣性質相對於物(wù)理量、化學量及其變化來說,極為敏(mǐn)感的半導體材料(liào)。此外(wài),其中,大多數利用的是半導體的表麵、界(jiè)麵的性質(zhì),需要盡量(liàng)增大其麵積,且能工業化、低價(jià)格製(zhì)作,因此,采用(yòng)薄膜的情況(kuàng)很多。
4、在集成電路製造中:晶體管路中的保護層(SiO2、Si3N4)、電極管線(多晶矽、鋁、銅及其合金)等,多是采用CVD技術、PVCD技(jì)術、真空蒸發金(jīn)屬技術、磁控濺射技(jì)術和射(shè)頻濺射技術。可見,氣相沉積是製備集成電路(lù)的核(hé)心技術之一。