主要型(xíng)號:
型號 | 功率(W) | 工作電壓(yā)(V) | 蕞大峰(fēng)值電流(A) | 外形尺寸 | 冷卻(què)方式 |
MS-10A | 400W | -40~+40 | -10~+10 | 482*175*550 (WHD)[4U] | 風冷 |
MS-20A | 800W | -40~+40 | -20~+20 | ||
MS-30A | 1200W | -40~+40 | -30~+30 |
主要(yào)特點:
A 可選擇三角波、矩形波、正弦波三種波形,波(bō)形的蕞高值和蕞低值可獨立設置。
B輸出電壓範圍:-40V~+40V。
C波形頻率範圍(wéi):0.1-50Hz
D三角波、矩形波占空比10%~90%
E 可選擇手動控製(zhì)/模擬量接口控(kòng)製,可選配RS485通訊接口。
采(cǎi)用先進的PWM脈寬調製技(jì)術,使用進(jìn)口IGBT或MOSFET作為功率開(kāi)關器件,
體積小、重量輕、功能全、性(xìng)能(néng)穩定可靠,生產工藝嚴格完善。
該(gāi)係列產品采用(yòng)先進的DSP控製(zhì)係(xì)統,充分保證鍍膜工藝的重複性,
並且具(jù)有抑製靶材弧光放電及抗短路功能,
具(jù)有極佳的負載(zǎi)匹配能力,既保證(zhèng)了靶麵清洗工藝的(de)穩定性(xìng),又提高了靶麵清洗速度;
主要參數均可大範圍連續調節;
方便維護,可靠性高;
PLC接(jiē)口和RS485接口(kǒu)擴展功能,方便實現自動化(huà)控製(zhì)。
主要用途:
MS係列(liè)勵磁多波形電源選擇多種電壓波形輸出。通過驅動多弧靶外圍磁場(chǎng)線圈,產生周期性可變磁磁場(chǎng),使多(duō)弧輝光由原來的集中放電變為均勻(yún)放電,提高工件膜層質量

現在工業區(qū),在範圍上擴展的(de)是越來越廣,跟(gēn)隨我們(men)行業的發展,現在機械設備研發的是(shì)越來越多(duō),當然啦,研發那麽多,在一(yī)些加工廠家肯定是要應(yīng)用到(dào)的啦,在範(fàn)圍上,在數(shù)量上都(dōu)不會少,現在我們來了解下真空鍍(dù)膜電源這項項目吧!

1、在光(guāng)學儀器中(zhōng):人們熟悉的光學儀(yí)器有望遠鏡、顯微鏡、照相(xiàng)機、測距(jù)儀,以及日常生活用品中的鏡子(zǐ)、眼(yǎn)鏡、放大鏡等,它們(men)都離不開鍍膜技術,鍍製的薄膜有反射膜、增透膜和吸(xī)收膜等幾種。
2、在信息存儲領域中:薄膜材料作為信息記錄於存儲介質,有其得天獨厚的優勢:由於薄膜很薄,可以忽略渦(wō)流損耗;磁化反轉極為迅(xùn)速;與膜麵平行的雙穩態狀態(tài)容(róng)易保持等。為了更精密地記錄與存儲信(xìn)息,必然要采(cǎi)用鍍(dù)膜(mó)技術。
3、在(zài)傳感器方(fāng)麵:在傳(chuán)感器中,多采(cǎi)用那些電氣性質相對於物理量(liàng)、化學量(liàng)及其變化來說,極為敏感(gǎn)的半導(dǎo)體材料。此外,其中,大多數利(lì)用的是半導(dǎo)體的表麵(miàn)、界麵的性質,需要盡量增大其麵(miàn)積,且能工業化、低(dī)價格製作,因此,采(cǎi)用(yòng)薄(báo)膜的情況很(hěn)多。
4、在(zài)集成電路製造中:晶體管路中的保護層(SiO2、Si3N4)、電極管線(xiàn)(多晶矽(guī)、鋁、銅及(jí)其合金)等,多是采用CVD技術、PVCD技術、真空蒸發金屬(shǔ)技術、磁控濺射技術和射(shè)頻濺射(shè)技術。可見,氣相沉積是製備集成(chéng)電路的核心技術之一。
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