主要型號:
型號 | 功率(W) | 工作電壓(V) | 蕞(zuì)大(dà)峰值電流(A) | 外(wài)形尺寸 | 冷卻方式 |
MS-10A | 400W | -40~+40 | -10~+10 | 482*175*550 (WHD)[4U] | 風冷(lěng) |
MS-20A | 800W | -40~+40 | -20~+20 | ||
MS-30A | 1200W | -40~+40 | -30~+30 |
主要特點:
A 可選擇三角波(bō)、矩形波、正弦波三種波形,波形的蕞高(gāo)值和蕞低(dī)值可獨立設置。
B輸出電(diàn)壓範圍:-40V~+40V。
C波形頻率範(fàn)圍:0.1-50Hz
D三角波、矩形(xíng)波占空(kōng)比10%~90%
E 可選擇手(shǒu)動控製/模擬量接口控(kòng)製,可選配RS485通訊接(jiē)口。
采用(yòng)先進的PWM脈寬調製技術,使用(yòng)進口IGBT或MOSFET作為功率開關器件,
體積小、重量輕、功能全、性能穩定可靠,生產工藝嚴格完(wán)善。
該係列產品采用先進的DSP控製係統,充(chōng)分保證鍍膜工藝的重複(fù)性,
並且具有抑製靶材弧光(guāng)放電及抗(kàng)短路功(gōng)能,
具有極佳(jiā)的負載匹配能力,既(jì)保證了靶麵清洗工藝的穩定性,又提高了靶麵清洗速度;
主要參數均可大範圍連(lián)續調節;
方便(biàn)維護,可(kě)靠(kào)性高;
PLC接口和RS485接口擴展功能,方便實現自(zì)動化控(kòng)製。
主要用途:
MS係列勵磁多波形電源選擇多種(zhǒng)電(diàn)壓波形(xíng)輸(shū)出。通過驅動多弧靶外圍磁場(chǎng)線圈,產生周期性(xìng)可變磁磁場(chǎng),使多弧輝(huī)光由原來的集中放電變為均勻放電,提高工件膜層質量

現在工業區,在範圍上擴展的是越來越廣,跟隨我們行業的發展,現在機械(xiè)設備研發的是越(yuè)來越多,當然啦(lā),研發那(nà)麽多,在(zài)一些加工廠家肯定是要應(yīng)用到的啦,在範圍上,在數量上都不會少,現在我們來(lái)了解下真空鍍膜電源這項項目吧!

1、在光學儀器(qì)中:人(rén)們熟(shú)悉的光(guāng)學儀器有望(wàng)遠鏡、顯微鏡、照相機、測距儀,以及日常生活用品中(zhōng)的鏡子(zǐ)、眼鏡、放大鏡等(děng),它們都(dōu)離(lí)不開鍍膜技術(shù),鍍製的薄膜有反射膜、增透膜和吸收膜(mó)等(děng)幾種。
2、在信息存儲領域中:薄膜(mó)材料作為信息記錄於(yú)存儲(chǔ)介質,有其得天獨厚的(de)優勢:由於薄膜很薄,可(kě)以忽略渦流損耗;磁化反轉極為迅速;與膜麵平行的雙穩態狀態容(róng)易保(bǎo)持等。為(wéi)了更精密地記錄與存儲信息,必然要采用鍍(dù)膜技術。
3、在傳感器方(fāng)麵:在傳感(gǎn)器中,多采用那些電氣性(xìng)質(zhì)相對於物理量、化學量及其變化來說,極為敏感的半導體材料。此外,其中,大多數利用的是半導體的表麵、界麵(miàn)的性質,需要盡量增大其麵積,且能(néng)工(gōng)業化、低價格製作,因此,采用薄膜的情況很多。
4、在集成電路製造中:晶體管路中的保護層(SiO2、Si3N4)、電極管(guǎn)線(多晶矽、鋁(lǚ)、銅及其合金)等,多是采用CVD技術、PVCD技術、真(zhēn)空蒸發(fā)金屬技術、磁控濺射技術和射頻濺射技術。可見,氣相沉積是製備集成電路的核(hé)心技術(shù)之一。
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