主(zhǔ)要型號:
型號 | 功率(W) | 工作電壓(V) | 蕞大峰(fēng)值電流(A) | 外形尺寸 | 冷卻方式 |
MS-10A | 400W | -40~+40 | -10~+10 | 482*175*550 (WHD)[4U] | 風冷 |
MS-20A | 800W | -40~+40 | -20~+20 | ||
MS-30A | 1200W | -40~+40 | -30~+30 |
主要特點:
A 可選擇三角波、矩形波、正弦波三種波(bō)形,波形的蕞高值和蕞低值可獨立設置。
B輸出電壓(yā)範圍:-40V~+40V。
C波形(xíng)頻率範(fàn)圍:0.1-50Hz
D三角波、矩形波占空比10%~90%
E 可選擇手(shǒu)動控製(zhì)/模擬量接口控製,可選配RS485通訊接口(kǒu)。
采用先進(jìn)的PWM脈寬調製技術,使用進口IGBT或MOSFET作為功率開關器件,
體積小、重量輕、功能全、性能穩定可靠,生產工藝嚴格完善。
該係列(liè)產品采用先進的(de)DSP控製係統(tǒng),充分保(bǎo)證鍍膜工藝的重複性,
並且具有抑製靶材弧光放電及抗短路功(gōng)能(néng),
具有極(jí)佳的負(fù)載匹(pǐ)配能力,既保證了(le)靶麵(miàn)清洗工藝的穩定性,又提高了(le)靶麵清洗速度;
主要參數均可大範圍(wéi)連續調節;
方便維護,可靠性高;
PLC接口和RS485接口擴(kuò)展功能,方便實現自動化(huà)控製(zhì)。
主要用途:
MS係列勵磁多波形電源(yuán)選擇多(duō)種(zhǒng)電壓波形輸出。通過驅動多弧靶外圍磁(cí)場線圈,產生周期性可變磁磁場,使多(duō)弧輝(huī)光由原來的集中放電變(biàn)為均勻放電,提高工件膜層質量

現在工業區,在範圍上(shàng)擴(kuò)展的是越來越廣,跟隨我們行業的發展,現在機(jī)械設備研發的是越來越多,當然啦,研發那麽多,在一些加工廠家(jiā)肯定是要應用(yòng)到的啦,在範圍上(shàng),在數量上都不(bú)會少,現在我們來了解下真空鍍膜電源這項項目吧!

1、在光學儀器中:人們熟悉的光(guāng)學儀器有望遠鏡、顯微鏡、照相機、測(cè)距儀,以及日常生活用品中的鏡子、眼鏡、放大鏡等,它們都離不開(kāi)鍍膜技術,鍍製的薄膜有反射膜、增透膜和吸收膜等幾種。
2、在信息存(cún)儲領域中:薄膜材(cái)料作為信息記錄於存儲介質,有其得天(tiān)獨厚的優勢:由於薄膜很薄,可以忽略渦流損耗;磁(cí)化反轉極為迅速;與膜麵平行的雙(shuāng)穩態狀態容易保持等。為了更精密地記錄與存儲信(xìn)息(xī),必然要采(cǎi)用鍍膜技術。
3、在傳感器方麵:在傳感器中,多采(cǎi)用那些電(diàn)氣性質相對於(yú)物理量、化學量及其變化來說,極為敏感的半(bàn)導體材(cái)料。此外,其中,大多數利用的是半導體的表麵、界麵的性質,需要盡(jìn)量增大其麵積,且能工業化、低價格製作,因此,采用薄膜的情況很多。
4、在集成電路製造中:晶(jīng)體管路中的保護層(SiO2、Si3N4)、電極管線(多晶矽、鋁、銅及其合金)等,多是(shì)采用CVD技術、PVCD技術、真空蒸發金屬技術、磁控濺射技(jì)術和射頻濺(jiàn)射技術(shù)。可見,氣相沉積是製備(bèi)集成電路的核心技術(shù)之一。
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