主要型號:
型號 | 功率(W) | 工作電(diàn)壓(V) | 蕞大峰值電流(A) | 外形尺寸 | 冷卻方式 |
MS-10A | 400W | -40~+40 | -10~+10 | 482*175*550 (WHD)[4U] | 風冷 |
MS-20A | 800W | -40~+40 | -20~+20 | ||
MS-30A | 1200W | -40~+40 | -30~+30 |
主要特(tè)點:
A 可選擇三角波、矩形(xíng)波、正弦波三種波形,波(bō)形的蕞高值和(hé)蕞低值(zhí)可獨立設置。
B輸出電壓範圍:-40V~+40V。
C波形頻率範圍:0.1-50Hz
D三角波、矩形波占空(kōng)比10%~90%
E 可選擇手動控製/模擬量接口控製,可選配RS485通訊接口。
采用先進的PWM脈寬調製技術,使(shǐ)用進口IGBT或MOSFET作為功率開關器件,
體積小、重量(liàng)輕、功能(néng)全、性能(néng)穩定可靠,生產工藝嚴格完善。
該係列產品(pǐn)采用先(xiān)進的DSP控製(zhì)係(xì)統,充分保證鍍(dù)膜工藝的重複性,
並且具(jù)有抑製靶材弧(hú)光放電及抗短(duǎn)路功能,
具有極佳的負載匹(pǐ)配能(néng)力,既保證了靶麵清洗工藝的穩定性,又(yòu)提高了靶麵(miàn)清洗速度;
主(zhǔ)要參數均可大範圍(wéi)連續調節;
方便(biàn)維護,可靠性高;
PLC接口和RS485接口擴展功能,方便實現自動化控製。
主要(yào)用途:
MS係列勵磁多波(bō)形電源選擇多種電壓波形輸出。通過驅動多弧靶外圍磁場線圈,產生周期性可變磁磁場,使多弧輝光由原來的集中放(fàng)電變為均勻放電(diàn),提高工件膜層質量

現在工業區,在範圍上擴展的是越來越廣,跟隨(suí)我們行業的發展,現在機械設備研發的是(shì)越來越多,當然啦,研發那麽多,在一些加工廠(chǎng)家肯定是要應用到的啦,在範圍上,在(zài)數量上都不會(huì)少,現在我們(men)來了解下(xià)真空鍍膜電源這項項目吧!

1、在光學儀(yí)器中:人們(men)熟悉的光學儀器有望遠鏡、顯微鏡、照相機、測距儀,以及(jí)日常生活(huó)用品中的鏡子、眼鏡(jìng)、放大鏡等,它們都離不開鍍膜技術,鍍製的薄膜有反射膜、增透膜和吸收膜等幾(jǐ)種(zhǒng)。
2、在信息(xī)存(cún)儲領域中(zhōng):薄膜材料作為信息記錄於存儲(chǔ)介質,有(yǒu)其得天(tiān)獨(dú)厚的優勢:由於薄膜(mó)很薄,可(kě)以(yǐ)忽(hū)略渦流(liú)損耗;磁化反轉極為迅速;與膜麵平行(háng)的雙穩態狀態容易保持(chí)等。為(wéi)了更精密地記錄與存儲信息(xī),必然要采用鍍膜技(jì)術。
3、在(zài)傳(chuán)感器方麵:在傳感器中,多采用那些電氣性質相對於物理量、化學量及其變化(huà)來說,極為敏感的半導體材料。此外(wài),其中,大多數利用(yòng)的是半導體的表麵、界麵的性質,需要盡量增大其麵積,且能工業化、低價格製作,因此,采用薄膜(mó)的情況很多。
4、在集成電路製造中:晶體管路中的保護層(SiO2、Si3N4)、電(diàn)極管線(多晶矽(guī)、鋁、銅及其(qí)合(hé)金)等(děng),多是采用CVD技術、PVCD技術、真空蒸發金屬技術、磁控濺射技術和射頻(pín)濺射技術。可見,氣相沉積是製備集成(chéng)電路的核心技術之一。