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直流磁（cí）控濺射（shè）和中頻磁控濺（jiàn）射是常見（jiàn）的濺射鍍膜工藝，但（dàn）這兩種常見的濺射工藝有什麽區別
1. 直流磁控濺射
濺射與氣壓的關係——要在一定範圍內提高電離率(在（zài）盡可能低的壓力下保持較高（gāo）的電離率)，要提高均勻性，就要在保（bǎo）證（zhèng）膜的純度的同時增加壓力，而（ér）要提（tí）高膜的附著力，就要降低壓力，形成（chéng）一個平衡輝光放電直流濺（jiàn）射係統
特點:提供一個（gè）額外（wài）的電子源，而不是從目標陰極獲得電子。實現低（dī）壓濺射(壓（yā）力小於0.1 Pa)
缺點（diǎn）:在大平麵材料中難以均勻（yún）濺射，且放電過程難以控製，導致工藝重複性差
2. 中頻磁控濺射（shè）
中頻（pín）交流磁控濺射可用於單（dān）陰（yīn）極靶係統，工業（yè）上一般采用雙靶濺（jiàn）射係統;靶材利用率較高可達70%以上，使用壽命更長，濺射速度更快（kuài），消除靶材中毒現象（xiàng）
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